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通常，電子束光刻主要流程依次為：基片表面預(yù)處理、涂覆光刻膠、前烘、電子束曝光、顯影、定影、金屬沉積及去膠等工藝環(huán)節(jié)。整個(gè)光刻工藝流程較復(fù)雜，總體光刻示意圖如下。
(1) 基片表面預(yù)處理
硅片表面粗糙度、熱膨脹系數(shù)低，光刻中通常采用硅片作為基底。為確保光刻膠涂覆均勻，需要使用化學(xué)溶液對(duì)表面進(jìn)行清洗，再用去離子水漂洗并干燥。
(2）光刻膠涂敷
涂膠有旋涂法、噴涂法和定量滴膠等方法。考慮膠黏度等因素，涂覆厚度一般不大于1微米，通常采用旋涂法。將光刻膠滴在硅片中心處，使硅片高速旋轉(zhuǎn)，光刻膠在離心力的作用下均勻鋪滿整個(gè)硅 片。
(3)前烘
前烘的目的是揮發(fā)掉光刻膠中的溶劑，增強(qiáng)光刻膠與硅片的結(jié)合力。前烘過(guò)度會(huì)導(dǎo)致膠膜硬化，不利于其內(nèi)應(yīng)力的消除，前烘不足溶劑揮發(fā)不完全，膠膜則會(huì)出現(xiàn)缺陷，顯影時(shí)存在浮膠現(xiàn)象。
(4)曝光
電子束光刻工序中最復(fù)雜的一步是曝光，曝光的圖形尺寸精度直接影響零件的尺寸精度。曝光劑量對(duì)曝光效果的影響較大，若曝光劑量不足，顯影時(shí)會(huì)出現(xiàn)光刻膠殘留在硅片表面，顯影圖案不完整、形狀不規(guī)則。
(5)顯影
顯影液能溶解光刻膠被曝光的部分(正膠)或未被曝光的部分(負(fù)膠)，是產(chǎn)生圖形的關(guān)鍵工藝。顯影工藝的因素有顯影液類型的確定和顯影時(shí)間的控制、顯影液的配比、溫度。
(6)堅(jiān)膜
堅(jiān)膜又稱作硬烘，目的是通過(guò)烘烤使光刻膠膠模中殘留的顯影液和定影液揮發(fā)，提高光刻膠與基片之間的結(jié)合力，由于光刻膠的種類及旋涂后的膠膜厚度不同烘烤的溫度時(shí)間，若堅(jiān)膜不到位可能會(huì)出現(xiàn)膠膜倒塌的情況。
電子束光刻是迄今為止分辨率最高的光刻技術(shù)，直寫式的方法不需要昂貴且費(fèi)時(shí)的掩模版，加工靈活，已經(jīng)引起廣泛的重視，隨著產(chǎn)業(yè)界對(duì)MEMS技術(shù)要求的不斷提高，電子束光刻已逐漸成為MEMS工藝的新支柱。
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