刻蝕是整個IC制造中的工藝,是與光刻膠相聯(lián)系進行圖像化處理的一種技術,刻蝕過程需要控制刻蝕偏差,分為濕法刻蝕和干法刻蝕。文章介紹濕法知識。#半導體#光刻機#光刻膠#刻蝕機
按照刻蝕方式和所使用的物質不同,刻蝕可以分為干法刻蝕和濕法刻蝕兩類。
濕法刻蝕: (Wet Etch)是一個純粹的化學反應過程,是指將待刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術。
優(yōu)點:設備簡單、重復性好、成本低、刻蝕速度快、生產(chǎn)效率高;
缺點:具有各向同向,橫向刻蝕的寬度接近垂直刻蝕的深度,光刻膠下面會有刻蝕液的滲入,導致鉆刻嚴重,對圖形的控制性較差,不能用于小的特征尺寸,很難處理非常精細的電路圖:會產(chǎn)生大量的化學廢液;
因為濕法刻蝕存在不容忽視的刻蝕偏差,所以一般用于晶圓磨片、拋光、清洗等環(huán)節(jié)。