吸收光能: 感光劑吸收曝光光線的能量,進入激發態。
化學變化: 激發態的感光劑與光刻膠中的其他化合物發生化學反應,導致局部的化學結構改變。
形成圖案: 經過曝光后,通過顯影過程,只有發生化學變化的區域被保留下來,形成所需的圖案。
不同類型的光刻膠可能使用不同的感光機理,但以上步驟提供了一般的概述。光刻膠的性能和效果對芯片制造的成功至關重要。負性光刻膠由感光材料+聚合物組合,光照射后進一步聚合,不溶于顯影液的有機溶劑,光照射區保留圖形。正性光刻膠由光分解劑和堿性可溶性樹脂及溶劑組成,為重氮茶醒磺酸醋及線性酚醛制成。光照射后氮氣脫離,變成酮結構。用堿性水溶液顯影變成水溶性的羥酸,然后被去除,即沒有被光照的區域留下圖形。
三、要求
中短波長段的可見光使光刻膠 感光,因此,光刻區域與普通潔凈室是隔開的,采用不會使光刻膠感光的照明光源,稱為黃光區。光刻膠涂布工藝時,轉速越高,薄膜厚度越薄;光刻膠黏度越高,薄膜厚度越厚。晶圓邊緣會出現膜厚稍厚的部分,為邊緣堆積,則需要進行邊緣沖洗,還要進行背面沖洗,防止光刻膠測流到晶圓背面。顯影工藝中負性光刻膠使用甲苯、乙酸乙酯顯影液,去除沒有發生光聚合反應的部分。正性光刻膠使用氫氧化銨顯影液,溶解被光照射的部分。