焊接凸點在倒裝芯片中。因為金屬凸點在電鍍后經回流焊再形成焊球，因此對光阻層側壁的垂直度沒有要求。但是這項技術要求用較厚的光刻膠，通常在50～100um之間。Clariant AZ 9200系列光阻材料的透明度要比90年代廣泛應用的AZ 4000系列好很多，以AZ 9260為例，可以將掩模/晶圓間隙做得很大，甚至達到100um，并根據光阻層厚度對側壁傾角作75°～84°的調整。光阻層傾角隨厚度的增加而增大，比如在同樣100um間隙下，當光阻層厚度從21um增加到54um時，其側壁傾角將從75°增大到84°。
銅柱技術要求用更厚的光阻層。如果希望側壁又光滑又精確，那么杜邦公司的MRC干膜是一種很好的選擇，它的厚度可達200um，在間隙小于100um時，光阻層側壁的傾角接近于90°。對于100um厚光阻層，其曝光時間很短，僅有10秒，而正性光阻層所需曝光量幾乎要多一個數量級。當光阻層很厚時，這種干膜的邊緣不會像正性光阻層那樣呈鋸齒狀，不過在晶圓上涂敷干膜因成本過高并沒有得到廣泛應用。 當間距以及凸起的距離都更緊密時，通常采用金凸點(例如TAB或COG)。這種方式在電鍍后不需進行再流焊，因此最初光阻膜與最終金屬凸點的形狀是一樣的，此時光阻層側壁的質量就非常重要。AZ 9260，它可以在20um的較大間隙做出10um寬20um高的金屬凸點。如果線寬與光阻層厚度之比不大于1:3，則可選擇負性的JSR THB 130N，因為它即使在100um間距的情況下也可以形成垂直的側壁。光阻材料需要用氮作凈化，超過100um的光阻層都有固定的處理方式。對于凸點間距比較密的情況，比如在金凸點中，可以采用AZ 9260或Tokyo Ohka正性光阻材料。如果使用了G線過濾器，那么用TOK PMER P-LA900PM將可得到很高的光阻層透明度，而代價是需要很高的曝光量(6-8J/cm2,相比之下AZ 9200系列只需要2J/cm2)。盡管它的產量較低，但在日本仍得到廣泛的使用，用它得到的實際厚度為30um，而AZ 9260可以很容易做到60um厚。
用于晶圓級二次布線的光敏Cyclotene (BCB)工藝
近些年來已開發出多種用于高頻IC的低k值介電材料。這種負性感光聚合物可采用與凸點技術相同的貼近式工具制模，同樣可以采用全幅曝光，并通過掩模與晶圓間的間隙選擇所需的側壁傾角。在實際中采用傾斜的側壁以便焊接導線從膜的頂部到晶圓焊盤能夠圓滑地連接。
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