b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短； c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布] 常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經(jīng)過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。 對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。 曝光系統(tǒng)的功能主要有：平滑衍射效應、實現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實現(xiàn)強光照明和光強調(diào)節(jié)等。 對準系統(tǒng)編輯 制造高精度的對準系統(tǒng)需要具有近乎完美的精密機械工藝，這也是國產(chǎn)光刻機望塵莫及的技術難點之一，許多美國德國品牌光刻機具有特殊專利的機械工藝設計。例如Mycro N&Q光刻機采用的全氣動軸承設計專利技術，有效避免軸承機械摩擦所帶來的工藝誤差。 對準系統(tǒng)另外一個技術難題就是對準顯微鏡。為了增強顯微鏡的視場，許多高端的光刻機，采用了LED照明。 對準系統(tǒng)共有兩套，具備調(diào)焦功能。主要就是由雙目雙視場對準顯微鏡主體、目鏡和物鏡各1對（光刻機通常會提供不同放大倍率的目鏡和物鏡供用戶組合使用）。 CCD對準系統(tǒng)作用是將掩模和樣片的對準標記放大并成像于監(jiān)視器上。 工件臺顧名思義就是放工件的平臺，光刻工藝最主要的工件就是掩模和基片。 工件臺為光刻機的一個關鍵，由掩模樣片整體運動臺（XY）、掩模樣片相對運動臺（XY）、轉(zhuǎn)動臺、樣片調(diào)平機構、樣片調(diào)焦機構、承片臺、掩模夾、抽拉掩模臺組成。 其中，樣片調(diào)平機構包括球座和半球。調(diào)平過程中首先對球座和半球通上壓力空氣，再通過調(diào)焦手輪，使球座、半球、樣片向上運動，使樣片與掩模相靠而找平樣片，然后對二位三通電磁閥將球座和半球切換為真空進行鎖緊而保持調(diào)平狀態(tài)。 樣片調(diào)焦機構由調(diào)焦手輪、杠桿機構和上升直線導軌等組成，調(diào)平上升過程初步調(diào)焦，調(diào)平完成鎖緊球氣浮后，樣片和掩模之間會產(chǎn)生一定的間隙，因此必須進行微調(diào)焦。另一方面，調(diào)平完成進行對準，必須分離一定的對準間隙，也需要進行微調(diào)焦。 抽拉掩模臺主要用于快速上下片，由燕尾導軌、定位擋塊和鎖緊手輪組成。 承片臺和掩模夾是根據(jù)不同的樣片和掩模尺寸而進行設計的。 性能指標編輯 光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產(chǎn)效率等。 分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。 曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。 曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域，光源有汞燈，準分子激光器等。 光刻機種類編輯 a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據(jù)施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。 1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面； 2.硬接觸 是將基片通過一個氣壓（氮氣），往上頂，使之與掩膜接觸； 3.真空接觸 是在掩膜和基片中間抽氣，使之更加好的貼合（想一想把被子抽真空放置的方式） 軟<硬<真空 接觸的越緊密，分辨率越高，當然接觸的越緊密，掩膜和材料的損傷就越大。 缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，容易損壞,壽命很低（只能使用5～25次）；容易累積缺陷；上個世紀七十年代的工業(yè)水準，已經(jīng)逐漸被接近式曝光方式所淘汰了，國產(chǎn)光刻機均為接觸式曝光，國產(chǎn)光刻機的開發(fā)機構無法提供工藝要求更高的非接觸式曝光的產(chǎn)品化。 b.接近式曝光（Proximity Printing）:掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙（Gap），Gap大約為0～200μm。可以有效避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷，使掩膜和光刻膠基底能耐久使用；掩模壽命長（可提高10 倍以上），圖形缺陷少。接近式在現(xiàn)代光刻工藝中應用最為廣泛。
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