主要用途:
主要用半導體工藝生產中烘烤晶圓等(如:涂膠/顯影/光刻等工藝之后的烘烤)。
一、主要技術規格:
1. 適應2〞~8〞晶圓烘烤
2. 熱板溫度: 60℃-300℃(溫度為150℃以上請勿合蓋)
3. 溫度均勻性: ±1℃(Φ200mm以內區域)
4. 手動開關爐蓋及放取硅片
5. 電子定時: 1分鐘-99小時99分鐘,功率1000W
6. 烘烤方式:接觸式烘烤晶片及多工位接近式烘烤
二、主要結構和工作原理
該熱板爐主要由熱板、管式加熱器、溫控儀、J 型熱電偶、固態繼電器、時間繼電器等組成,
本系統是一種閉環自動反饋控制系統,通過PID調節,求得系統溫度控制精度。
三、安裝
1.本系統應安放在水平臺面上,將機箱外的電源插座內
2.外形尺寸:(L×W×H)280mm×300mm×400mm.